電磁兼容測試：有關低頻磁屏蔽材料屏蔽效能測量方法—亥姆霍茲線圈法

點擊上方“電磁兼容檢測”，馬上關注

低頻磁屏蔽材料屏蔽效能測量方法—亥姆霍茲線圈法

摘要：介紹了低頻磁屏蔽材料屏蔽效能測量方法—亥姆霍茲線圈法。。

通常而言，低頻磁場干擾是一種*難對付的干擾。為了減少低頻磁場輻射，除在結構上合理布線、合理布置元器件外，采用磁屏蔽材料進行磁屏蔽是一種減小低頻磁場干擾的十分有效措施。對這種低頻磁場，要通過使用高磁導率材料提供磁旁路來實現屏蔽，如下圖所示。由于屏蔽材料的磁導率很高，因此為磁場提供了一條磁阻很低的通路，因此空間的磁場會集中在屏蔽材料中，從而使敏感電路免受磁場干擾。

從上面的介紹可知，低頻磁屏蔽材料屏蔽效能測量難以采用法蘭同軸裝置法和屏蔽室法，主要是平面型的樣品難以形成磁旁路的空間整體保護效果，另外頻段也難以覆蓋低頻。低頻磁屏蔽材料屏蔽效能測量，采用亥姆霍茲線圈法，即圓筒狀樣品放置在亥姆霍茲線圈中，測量無樣品時和有樣品時的磁感應強度大小得到樣品的低頻磁屏蔽效能。

一個同軸放置的平行線圈，當線圈間距等于一定值（方形線圈為邊長之半，圓形線圈為半徑）時，即構成了亥姆霍茲線圈。在這對線圈中通以電流，就可在線圈對之間一定區域內建立起相當均勻的磁場。通過亥姆霍茲線圈形成了磁場的發射源，如下圖所示。

磁場線圈系統裝置結構如下圖所示。亥姆霍茲線圈骨架、探測線圈骨架、旋轉臺和支架臺應采用絕緣無磁材料。亥姆霍茲線圈的直徑應滿足至少為試樣圓筒長度的三倍或者直徑的四倍。探測線圈應固定在亥姆霍茲線圈中心，相對兩個線圈等間距并和亥姆霍茲線圈同軸，直徑和高度應等于或小于試樣直徑的一半，且不超過亥姆霍茲線圈直徑的十分之一。試樣軸線和磁場方向成90度垂直方向。

說明:

1—亥姆霍茲線圈；

2—被測試樣；

3—探測線圈；

4—探測線圈支架；

5—旋轉臺；

6—試祥底座。

全文完，若覺得有啟發，那就點個贊或者“在看”吧，多謝閱讀。